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前沿設備 | 先進制程芯片分析能力介紹-微區(qū)分析技術TEM

更新時間:2023-08-24  |  點擊率:551

透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,簡稱TEM),是一種以電子束為光源的基于電子顯微學的微觀物理結構分析技術,分辨率最高可以達到0.1nm左右。TEM技術的出現(xiàn),大大提高了人類肉眼觀察顯微結構的極限,是半導體領域不可少的顯微觀察設備,也是半導體領域工藝研發(fā)、量產(chǎn)工藝監(jiān)控、工藝異常分析等不能缺少的設備。


     TEM在半導體領域具有非常廣泛的用途,如晶圓制造工藝分析、芯片失效分析、芯片逆向分析、鍍膜及刻蝕等半導體工藝分析等等,客戶群體遍布晶圓廠、封裝廠、芯片設計公司、半導體設備研發(fā)、材料研發(fā)、高??蒲性核?。



01 TEM技術團隊能力介紹


廣電計量的TEM技術團隊由陳振博士牽頭,團隊技術骨干的相關行業(yè)經(jīng)驗均在5年以上,不僅具有豐富的TEM結果解析經(jīng)驗,還具有豐富的FIB制樣經(jīng)驗,具備7nm及以上先進制程晶圓的分析能力及各種半導體器件關鍵結構的解析能力,目前服務的客戶遍布國內的晶圓廠、封裝廠、芯片設計公司、高??蒲性核龋⑹艿娇蛻魪V泛的認可。


02設備能力介紹

TEM設備


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TEM型號:Talos F200X參數(shù) 

1.電子槍:X-FEG

2.200Kv時亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]

 EDS探頭型號:Super-X

3.HRTEM信息分辨率:0.12 nm

HRSTEM分辨率:0.16 nm

TEM樣品制備設備DB FIB

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DB FIB型號:Helios 5 CX參數(shù) 

1.離子源:液態(tài)鎵離子源

2.EDS探頭型號/有效活區(qū)面積:

Ultim Max65/65mm2

3.離子束分辨率:2.5 nm@30Kv

4.電子束分辨率:1.0  nm@1.0 Kv,

0.6nm@15Kv


03TEM服務項目介紹


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04關于陳振博士

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陳振

無錫廣電計量副總經(jīng)理


復旦大學材料物理專業(yè)博士,上海市“科技創(chuàng)新行動計劃"技術平臺負責人,無錫市發(fā)展改革研究中心決策咨詢專家,南京大學和西安電子科技大學碩士研究生兼職導師,上?!熬請@工匠"、“嘉定技術能手",負責的先進制程芯片檢測項目入選“上海市檢驗檢測創(chuàng)新案例"。


曾參與國家重點研發(fā)計劃項目2項,國家自然基金面上項目3項,國外高水平期刊發(fā)表SCI論文8篇,申請發(fā)明Z利1項,出版光電傳感器英文論著1部。



廣電計量堅持以客戶為中心,在全國主要經(jīng)濟圈設有60多家分子公司,擁有近6000名優(yōu)秀員工,搭建了全國一體化計量檢測與認證技術公共服務平臺。企業(yè)服務能力覆蓋裝備制造、汽車、航空、軌道交通、船舶、通信、電力、電子電器、食品、環(huán)保、農(nóng)業(yè)、醫(yī)療、石化等領域,可迅速響應各行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上下游客戶需求,為客戶提供近距離、本地化的專業(yè)服務,幫助其提升自身競爭力。



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